Irs21844s схема

irs21844s схема
Особенностью IGBT-транзисторов является снижение значений параметра, являющегося эквивалентом сопротивления канала MOSFET с увеличением тока, протекающего в IGBT-транзисторе. Применение 600 В IGBT-транзисторов типов U и W вместо классических MOSFET позволяет добиться уменьшения потерь более чем на 50%. На рисунке 7 приведены зависимости максимального выходного тока IGBT, работающих в корректоре коэффициента мощности, от частоты переключения. Эти выводы можно сделать из рисунка 5, на котором приведена зависимость тока от частоты переключения для различных семейств транзисторов. Строка, расположенная ниже обозначения технологий изготовления транзисторов, определяет тип транзистора с точки зрения его частотных характеристик. Функциональные схемы данных аппаратов приведены на рисунке 9. Рис. 9. Функциональная схема сварочного аппарата постоянного (а) и переменного (б) тока Аппараты состоит из полномостового ИП и выходного инвертора (только в структуре (б)), принцип работы которых мы рассмотрели выше. Это связано с увеличением общего числа слоев в структуре транзистора, а также усложнением технологических процессов их создания.


Кроме того, драйвера обеспечивают высокий ток (несколько ампер) для быстрой перезарядки паразитных емкостей транзистора, что обеспечивает меньшие потери энергии при переключении транзисторов. Корректоры коэффициента мощности Использование IGBT в схемах ККМ рекомендуется при выходных мощностях свыше 1 кВт. Рабочие частоты схемы составляют 20…25 кГц, что определяет скоростные характеристики транзисторов. Сварочные аппараты Сварочные аппараты подразделяются на две группы по типу выходного тока: с постоянным или с переменным. Как и в случае MOSFET-транзисторов, значение данного параметра в значительной степени определяется типом корпуса транзистора. Кроме того, падение рабочего тока транзистора с увеличением частоты у нового поколения G7 выражено не так ярко, как у транзисторов предыдущих поколений или у IGBT-транзисторов других производителей.

Материалы семинара IGBTs & Gate Driver ICs», IR, 2011 г. Получение технической информации, заказ образцов, поставка – e-mail:. Драйверы рассчитаны на различные управляющие напряжения и токи затворов транзисторов. В таблице 5 приведены характеристики и особые функции двухканальных драйверов. Компания КОМПЭЛ является официальным дистрибьютором IR, и в нашем параметрическом каталоге по адресу , вы можете найти подходящий по параметрам IGBT-транзистор, просмотреть документацию и получить информацию о наличии на складе и цене конкретного IGBT. Литература 1. VolkerSchendel, Harald Reichert. Как видно на рисунке, наряду с улучшенными характеристиками новые поколения транзисторов обладают и большей стоимостью. Качественную оценку основных характеристик транзисторов на напряжение 1200 В можно сделать, исходя из рис. 4. Рис. 4. VCE(on) vs.

Похожие записи: